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下面附上一則新聞讓大家了解時事
解決農地工廠 經濟部拚本會期提《工廠管理輔導法》修正案
2018年10月22日 上稿編輯： 陳文姿 環境資訊中心記者 陳文姿報導
上週才傳出農地工廠在十年內合法化的爭議，今（22日）立法院即排審《工廠管理輔導法》（工輔法）修正案，主張擴大臨時工廠登記對象，並延長輔導期限。經濟部回覆質詢時表示，展延無助於解決農地工廠，本會期結束前就要將行政院版《工輔法》修法草案送立院審查。主席最後裁定等行政院版提出後再審。
擔心《工輔法》一修，將放任違章工廠違法占據農地，環團一早在立院外召開記者會，指責已辦理臨登的工廠尚未解決，農地工廠以每年4000至6000家的速度爆增，問題未解決，這次修法本質就是「選舉的買票」。
經濟部本會期提修法 完整解決農地工廠
《工輔法》第33條、第34條於2010年修正，讓2008年3月14日前已存在的低污染農地工廠辦理「臨時工廠登記」，並在輔導期限內免受區域計畫法等處罰，等於是暫時性合法。
民進黨立委林岱樺所提的修正案主張2016年3月31日前的工廠均可辦理臨時工廠登記。國民黨立委許淑華、王惠美的版本則以2016年5月20日前存在的工廠均納入臨時工廠登記。三版本均要求展延輔導期限。
經濟部次長曾文生回覆質詢時表示，賴清德院長已經宣示，只靠展延無法解決問題。經濟部已在研擬草案，但此案牽涉環保部門（環保署）、土地管理部門（內政部）、農業部門（農委會），需要更多時間討論，將在本會期結束前將修正草案送至立法院。
曾文生受訪時解釋，行政院所提的《工輔法》修正案會是完整的方案，不會只有展延。至於是不是只修正33、34條，則還在研議中。 主席裁示等行政院提案再審查
時代力量立委高潞·以用·巴魕剌於會議開始即提程序動議。她表示，立院4月通過的臨時提案要求經濟部、農委會、內政部應於三個月內向立院專案報告，說明實施至今狀況與修法方向，但至今仍未報告。應等報告結束後再審查。
召委陳超明最後決議請行政院於本會期結束前提出版本、並專案報告後，繼續審查。
曾文生表示，經濟部的原則是中高污染輔導進合法工業區、低污染要輔導合法，還須討論土地分區法令等。此外，現在正在辦理違章工廠的清查與建檔，要求2019年底完成。
據農委會調查，目前農地非農用的面積為6萬7800公頃，其中農地工廠占1萬3871公頃。經濟部將就工廠產業別、污染程度等進一步調查。經濟部中辦解釋，這是明年的預算，預計1月啟動，一年內完成調查。 環團批：農地工廠還在長 展延是為選舉買票
趕在立院開議前，地球公民基金會、環境權保障基金會、主婦聯盟基金會等環團在立院外召開記者會要求立即停止審查。
地球公民基金會山林國土組專員吳其融指責，這三個修正版本只是把問題展延、拖到未來，「本質就是選舉的買票」。
主婦聯盟環境保護基金會研究員湯琳翔指出，去年行政院提520後新增違章工廠即報即拆，第一波只拆了15家。行政院應先告訴大眾違章工廠新增的情形。吳其融也表示，7000多家已辦理臨登的工廠至今只有50家完成合法化，政府應該做的是在農業安全下找到違章工廠的處理配套。
林岱樺反駁環團指責，她說如果這是為選票考量，為何國民黨時期不處理。她指出，農地工廠的土地融資跟稅賦減免都受到限制，業者用自主的力量帶起經濟。企業經營禁不起一拖再拖，《工輔法》應盡快討論。
專家傳真－中美貿易摩擦 對陸記憶體發展之影響
工商時報【劉佩真台灣經濟研究院產經資料庫副研究員】
2018年適逢中美貿易摩擦期間，美方乃至於其他先進國家對於中方是否有竊取智慧財產權的議題特別重視，此對於中國2018年下半年至2019年即將要量產的記憶體格外敏感，主要是國際大廠佈下綿密的專利網、且力阻中國進行海外記憶體廠的購併，且先前市場雖然傳出Intel與Micron在第三大3D NAND Flash之後分道揚鑣，且Intel後續不排除會以技術授權方式加速攜手中國紫光集團，但在美方政府採取嚴控，慎防關鍵半導體技術外流之際，此案恐無疾而終，更何況紫光集團先前不論是想以230億美元購買Micron，或是嘗試購買WD、Toshiba皆未成，故中國在無技術授權來源、記憶體人才短缺之下，2018年下半年∼2019年中國要進入記憶體國產化的量產恐有疑慮。
如2017年底~2018年以來聯電與Micron呈現互相訴訟的情況，主要是由於2016年1月聯電和中國福建省晉華電路有限公司協議32奈米及32S奈米DRAM技術開發協議，爾後聯電於2016年2月在台南市科學園區成立「新事業發展中心」，設立一系列部門研發，並有來自於Micron的員工加入；而隨著福建晉華即將於2018年底前開始量產利基型DRAM，Micron則開始啟動法律訴訟的動作，除Micron控告聯電及原本的Micron的員工之外，並於2017年12月在美國加州法院向聯電及技術團隊成員提起民事訴訟和損害賠償，並將福建晉華列為共同被告，顯然Micron防堵聯電與中國業者切入記憶體市場的動作相當明顯。
事實上，以目前中國記憶體三大陣營來看，依舊以紫光集團與武漢新芯一期的規劃投資額240億美元最高，月產能將達30萬片，也將是中國唯一3D NAND Flash技術的研發陣營，甚至長江存儲投入32層3D NAND Flash技術研發，2017年11月號稱已研發成功，不過初步規畫至2018年底月產能僅5,000萬片，2019年則進入64層128G 3D NAND Flash技術研發階段，然後續量產良率、專利授權問題仍有待觀察；其次則為專注於行動式記憶體的合肥睿力與兆易創新，一期投資額為72億美元，屆時月產能為12.5萬片，再者投入於利基型記憶體福建晉華一期投資額為56.5億美元，屆時月產能為6萬片，不過合肥睿力與兆易創新、福建晉華試產時程將會落於2018年第三季，量產則暫定在2019年的上半年，時程皆較原規劃落後。
而若以中國三大記憶體陣營量產製程與國際大廠之差距來看，仍是存有相當的差距，以長江存儲的NAND Flash來說，2018年雖然將量產32層3D NAND Flash，但國際大廠如Samsung、Micron、SK Hynix、Toshiba等主流製程已演進至64/72層3D NAND Flash，更何況除全球記憶體大廠技術持續推進，中國廠商迎頭趕上的挑戰性高之外，中國若無法取得海外公司的技術授權，很難做出有競爭力的產品，若是侵犯專利的產品，恐連中國本土品牌公司亦不敢下單，未來仍須面對不少法律上的問題，其中中國發展DRAM產業難度將高於NAND Flash，甚至初期將以內需市場為主。
整體而言，因先前中國智慧型手機企業飽受記憶體產品短缺的困擾，且記憶體對國家資訊安全的重要性高，更何況記憶體為中國實現半導體自給率提升的重要關鍵產品，特別是受到中興電訊事件的影響，更加激起對岸發展半導體核心產品的動能，故中長期來說，中國勢必會竭盡所能積極發展記憶體，中長期此決心仍不容忽視。
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